CVD管式爐廣泛用于：真空鍍膜、納米薄膜材料制備、納米線生長、電池材料干燥燒結等場所。該系統技術成熟、質量可靠;設備操作采用全數控觸摸界面，豐富的圖形界面提示，使得設備的操作異常簡單、方便;設備的各項技術參數更是一目了然，設備的運行狀態盡在您的掌控之中。該系統是材料實驗室*的理想設備之一。
 

　　采用雙層殼體結構，并帶有風冷系統，使得殼體表面溫度小于55℃.內內爐膛表面涂有1750℃進口氧化鋁涂層材料提高反射率及爐膛潔凈度 。真空密封系統有兩個不銹鋼密封法蘭，zui大漏氣率6 mtorr/min。采用雙旋機械泵，可以過濾真空泵工作時產生的油煙，減少泵油的損耗，保護環境和人體健康，過濾的zui小微粒直徑為0.3微米。極限真空度≤6x10-2 Pa or 4x10-4 torr
 

　　有四路供氣系統 可以用于控制一種到四種的氣體流經真空密封的管式爐，這種氣體控制系統安裝在移動架上，可以放在上面，氣體控制系統的前面板上有控制并顯示氣體流量的調節閥。它可以用于CVD系統及退火爐，用來研究氣體環境對材料的影響。
 

　　應用范圍
 

　　廣泛適用于高、中、低溫CVD工藝，例如：碳納米管的研制、晶體硅基板鍍膜、納米氧化鋅結構的可控生長等等;也可適用于金屬材料的擴展焊接以及真空或保護氣氛下熱處理. 產品特點： 高溫CVD系列管式爐專門設計用于高溫材料沉積之用。 硅鉬棒加熱、剛玉爐管爐膛, 可預抽真空,便于通入參加反應的氣體,進口單回路智能溫度控制儀控制、溫區設計隔板結構。具有溫度均勻、控制穩定、溫區間溫度擾動小、升溫速度快、節能、使用溫度高、壽命長等特點，是理想的科研設備。