單面內(nèi)存和雙面內(nèi)存在電氣性能上沒(méi)有什么區(qū)別，內(nèi)存結(jié)構(gòu)本身就有兩面互通的電路設(shè)計(jì)，不存在雙面內(nèi)存比單面內(nèi)存信號(hào)好的說(shuō)法。比如一條DDR2內(nèi)存共有240個(gè)引腳，如果設(shè)計(jì)為單面則只使用其中的120個(gè)，剩下的120個(gè)并沒(méi)有被利用。雙面內(nèi)存的散熱要比單面內(nèi)存難一些，所以它對(duì)顆粒的品質(zhì)要求高一些。因此廠家在生產(chǎn)內(nèi)存時(shí)，首先考慮的是提高單顆顆粒的容量，而不是先考慮雙面內(nèi)存。另外，從生產(chǎn)工藝的角度來(lái)說(shuō)，生產(chǎn)單面內(nèi)存也比雙面內(nèi)存簡(jiǎn)單一些，所以現(xiàn)在市場(chǎng)上看到的內(nèi)存多以單面產(chǎn)品為主。
單面內(nèi)存就一定比雙面內(nèi)存好，或者一定要在兩者之間區(qū)分伯仲。單、雙面內(nèi)存它們的本身沒(méi)有好壞，區(qū)別也很小，只不過(guò)看哪種封裝被主板芯片組支持的更好罷了。不可否認(rèn)的一點(diǎn)是，同等容量的內(nèi)存，單面比雙面的集成度要高，生產(chǎn)日期要靠后，所以工作起來(lái)就更穩(wěn)定。
由于現(xiàn)在的內(nèi)存工廠良率越來(lái)越高，所以單面就可以做成512MB等等的內(nèi)存，以前只可以用雙面顆粒才可以達(dá)到這樣的效果。其實(shí)，性能上是沒(méi)什么差異的。不過(guò)根據(jù)以往的經(jīng)驗(yàn)來(lái)看，單面內(nèi)存更好超頻，雙面內(nèi)存兼容性更好。
單面內(nèi)存就一定比雙面內(nèi)存好，或者一定要在兩者之間區(qū)分伯仲。單、雙面內(nèi)存它們的本身沒(méi)有好壞，區(qū)別也很小，只不過(guò)看哪種封裝被主板芯片組支持的更好罷了。不可否認(rèn)的一點(diǎn)是，同等容量的內(nèi)存，單面比雙面的集成度要高，生產(chǎn)日期要靠后，所以工作起來(lái)就更穩(wěn)定。
由于現(xiàn)在的內(nèi)存工廠良率越來(lái)越高，所以單面就可以做成512MB等等的內(nèi)存，以前只可以用雙面顆粒才可以達(dá)到這樣的效果。其實(shí)，性能上是沒(méi)什么差異的。不過(guò)根據(jù)以往的經(jīng)驗(yàn)來(lái)看，單面內(nèi)存更好超頻，雙面內(nèi)存兼容性更好。